Каталог товаров

Память оперативная samsung M425R2GA3BB0-CWM

Артикул: 2274646000
5099 Рублей
Для юр. лиц: 5665 Рублей
доступно к заказу(много)

Доставка и самовывоз

Курьер доставит
через 5-6 дней, 400 Рублей
10 апреля   

Официальная гарантия от производителя — 1 год  

Описание товара

  • Тип памяти:DDR5 
  • Форм-фактор:SODIMM 262-контактный 
  • Тактовая частота:5600 МГц 
  • Пропускная способность:44800 Мб/с 
  • Латентность:CL46 
  • Тайминги:46-45-45 

Характеристики

Производитель
Производитель
Samsung
Модель
M425R2GA3BB0-CWM
Количество модулей в комплекте шт
1
Общий объем памяти ГБ
16
Тип модуля
SO-DIMM
Частота MHz
DDR5 - 5600
Пропускная способность МБ/с
44800
Количество контактов
262
Охлаждение
-
Напряжение В
-
Потребление энергии
-
Тайминги
40
Дополнительная информация
-
Чип
-
Габариты мм
-
Вес грамм
-
Основные характеристики
-
Дополнительные характеристики
-
Объем одного модуля ГБ
16
CAS Latency CL
40
Цвет
зеленый
Количество чипов на модуле
-
RAS to CAS Delay tRCD
-
Row Precharge Delay tRP
-
Activate to Precharge Delay tRAS
-
Нормальная операционная температура Tcase
-
Расширенная операционная температура Tcase
-
Компоновка чипов на модуле
-
Линейка
-
Высота мм
-
Тип оборудования
Оперативная память
http://www.samsung.com/ru/support/local/services/russia.do
Тип памяти DDR
DDR5
Тип памяти
SO-DIMM
Представленное описание носит информационный характер. Производитель оставляет за собой право изменять характеристики товара, его внешний вид и комплектность без предварительного уведомления продавца. Рекомендуем перед покупкой уточнить характеристики товара на сайте производителя.
Указанные цены не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ). Стоимость и наличие товара уточняйте у менеджера.

Похожие товары
Другие товары Samsung
Другие производители Оперативной памяти

Уважаемые покупатели, указанные на сайте цены не являются публичной офертой (ст.435 ГК РФ). Стоимость и наличие товара уточняйте у менеджера.